Lecture 11. 内存与动态、静态 RAM
$$\small z = \frac{1}{8} \left(10 e^{-\left(\left(\frac{2}{3}|x| - 1\right)^2 + \left(\frac{2}{3}y\right)^2\right) - \frac{1}{3}\left(\frac{2}{3}y + \frac{1}{2}\right)^3} + \frac{2}{3}e^{-2.818^{11}\left(\left(\frac{2}{3}|x| - 1\right)^2 + \left(\frac{2}{3}y\right)^2\right)^2} + \frac{2}{3}y - \left(\frac{2}{3}x\right)^4\right)$$
主存（main memory）
比较 SRAM 与 DRAM
RAM 是随机存储器，Random Access Memory。
SRAM
- 由触发器构成
- 每个 memory cell 占据比较大的空间
- 易失
- 无需刷新
- 用于缓存
- 10ns 左右
DRAM
- 由 FET 以及存储的电荷构成
- 密度更大，同样体积，DRAM 存储空间可达 SRAM 的四五倍
- 易失
- 需要不断刷新（refresh）
- 60ns 左右
电路构造
SRAM
如图，想要存储一个 bit 的信息，需要 8 个 FET！
~~CS220 以及主流网站，都说只需要 6 个~~
读写数据很快，只需要这样：
DRAM
课件上说，每一个 bit 仅（大约）需要一个 FET。
- Q：可是你这个图明明画了两个啊？
- A：多出来的那个用来选择列号的。如果足够大，用于选择的可以忽略不计。如下图。RAS 表示 Row Address Select，CAS 类似。
DRAM 循环
- 选择一行 cell（row）
- 把这些 cell 的数据都读出来
- 找到对应的列。如果是 read mode，就把原始数据重新写回去，否则写入新数据
- 为了防止存储的电荷流失，每个 cell 都要每隔 2ms 左右刷新一次
- 在 re-read 之前，先给 cell 充电，这样下一次读取就会变快，这样可以让 DRAM 循环时间加快到访问时间的两倍左右（70ns）
内存条
有三种样式：
- DIP，Dual in line package，两排引脚的小黑块
- SIMM，Single Inline Memory Module，只有一侧有引脚
- DIMM，Double Inline Memory Module，两侧都有引脚。常见的内存条就是这样
