11.29 Other Basic Components

电阻器 Resistors

电阻器的阻值一般与温度是正相关关系

电容器 Capacitors

电容器是用来在电场中储存能量的被动元件，储存能量值 $\large \frac{1}{2}CV^2$。

一般，电容器由被绝缘体或电介质（dielectric）隔开的两块导电板构成；介质可能是空气、陶瓷（ceramic）、纸、云母（mica）

电容的单位是法拉（F），1 F = 1 C/V

C = Q/U 是比值定义式而非决定式，其决定式是 $\Large C = \frac{\epsilon S}{d}$，往往不受温度影响

流过电容器的电流与电容器两端电压的关系式是 $\Large i = C\frac{\text{d}V}{\text{d}t}$（电压的变化率）
因此若电容两端的电压恒定不变，那么电流就是 0
因此电容器可用于阻断恒定信号；对于变化快的信号更敏感

通常，电容器都会并联一个电阻以防漏电

电感器 Inductors

电感器会因为通过的电流的改变而产生电动势，从而抵抗电流的改变。

电感器是用来在磁场中储存能量的被动元件，储存能量值 $\large \frac{1}{2}LI^2$。。

线圈的电感值是 $\Large L = \frac{n^2\mu S}{l}$，其中 μ 是螺线管重心金属的磁导率，往往不受温度影响

类似地，电感器两端电压与通过其电流的关系式是 $\Large v = L\frac{\text{d}i}{\text{d}t}$（电流的变化率）
因此，电感器两边变化率越低，电感器越像不存在（分压得到零）

通常，电感器都会串联一个电阻以吸收能量（绕阻）

二极管 Diodes

正向偏置当中，如果超过一个值，电流会指数级别增长；反向偏置当中，通常电流很低，但电压过高时会发生非永久性击穿
注意图中纵坐标的变化

齐纳二极管（Zener diode），是利用二极管在反向电压作用下的齐纳击穿（崩溃）效应，制造而成的一种具有稳定电压功能的电子技术器件，因此又称为“稳压管”。
齐纳二极管的正向偏置和一般二极管相同，但是其反向击穿电压（又称齐纳电压）的范围远大于一般的二极管，能承受比一般二极管更高的电压，而且齐纳二极管的反向电压操作是可逆的。常见的齐纳电压从 3 伏特到 100 伏特。齐纳二极管的电路符号是

晶体管 Transistors

晶体管是电子器件以及计算机当中常见的电子元件。晶体管可以用于：

开关（输出不是完全关闭就是完全导通时）
信号增强（线性工作时）

晶体管主要分为 BJT 和 FET 两大类

双极性晶体管（BJT）

BJT 具有 EBC 三个极，Emitter（发射）极，Base（基）极，Collector（集电）极

场效应晶体管（FET）

FET 具有 GSD 三个极，Gate（闸）极，Source（源）极，Drain（漏）极

FET 又可以分为 JFET（结型场效应管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）两类，操作原则比较相似，但是也有细微的组成成分额差别

FET（场效应晶体管）利用电场来改变半导体的属性，从而允许或多或少的电流通过，而电流的大小由电压控制